國產(chǎn)MOSFET，密集漲價(jià)

  ICC訊   過去三年，功率半導(dǎo)體市場經(jīng)歷了明顯波動(dòng)。2022年以高景氣收尾；2023年進(jìn)入去庫存周期，價(jià)格松動(dòng)、產(chǎn)能利用率下滑；2024年部分細(xì)分賽道回暖，但整體仍在修復(fù)區(qū)間。2025年四季度開始，周期出現(xiàn)拐點(diǎn)，開始結(jié)構(gòu)性復(fù)蘇。

  2026 年開年，功率半導(dǎo)體的細(xì)分領(lǐng)域MOSFET迎來久違的密集漲價(jià)潮。從國際巨頭到本土龍頭，多家企業(yè)相繼拋出調(diào)價(jià)通知，漲幅普遍達(dá) 10% 起，部分高端料號(hào)突破 20%，調(diào)價(jià)窗口集中在 3-4 月，標(biāo)志著功率半導(dǎo)體行業(yè)正式告別兩年下行周期，邁入結(jié)構(gòu)性景氣新階段。

  01 功率半導(dǎo)體龍頭，齊發(fā)漲價(jià)函

  2月5日，杭州士蘭微電子股份有限公司向客戶發(fā)布《價(jià)格調(diào)整通知函》，宣布將對(duì)部分器件類產(chǎn)品價(jià)格進(jìn)行上調(diào)，調(diào)整幅度為10%，自2026年3月1日起正式生效。根據(jù)漲價(jià)函顯示，此次漲價(jià)的產(chǎn)品主要涉及三類核心產(chǎn)品：包括小信號(hào)二極管/三極管芯片、溝槽TMBS芯片和MOS類芯片。

  2月24日，宏微科技向客戶發(fā)出“漲價(jià)通知函”，宣布將對(duì)IGBT單管及模塊、MOSFET器件進(jìn)行調(diào)價(jià)，2026年3月1日實(shí)施。

  繼士蘭微、宏微科技后，國產(chǎn)功率半導(dǎo)體廠商新潔能于2026年2月25日發(fā)布價(jià)格調(diào)整通知，宣布對(duì)MOSFET產(chǎn)品漲價(jià)10%起，3月1日起發(fā)貨生效。

  同日捷捷微電宣布，對(duì)其MOS系列產(chǎn)品提價(jià)10%-20%，自2026年2月1日起，新發(fā)MOS成品均按新價(jià)格執(zhí)行。

  除了上述幾家公司，華潤微電子也正式發(fā)布重磅價(jià)格調(diào)整公告，明確自2026年2月1日起，對(duì)公司全系列微電子產(chǎn)品啟動(dòng)價(jià)格上調(diào)，上調(diào)幅度最低10%。華潤微主要產(chǎn)品包括以 MOSFET、IGBT、第三代寬禁帶半導(dǎo)體為代表的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，以光電傳感器、煙報(bào)傳感器、MEMS傳感器為主的傳感器產(chǎn)品，和以MCU為代表的智能控制產(chǎn)品等。

  全球分立半導(dǎo)體與無源元件龍頭Vishay亦傳出漲價(jià)消息。因關(guān)鍵原材料成本持續(xù)大幅攀升，公司將對(duì)MOSFET 及 IC 產(chǎn)品線實(shí)施緊急價(jià)格調(diào)整，以緩解成本壓力、保障供應(yīng)穩(wěn)定。

  從漲價(jià)幅度來看，多數(shù)廠商調(diào)整幅度為10%起，漲價(jià)產(chǎn)品主要為MOSFET產(chǎn)品。值得注意的是，2 月初英飛凌已宣布，自 4 月 1 日起上調(diào)功率開關(guān)及相關(guān)芯片價(jià)格。

  那么，MOSFET 價(jià)格為何會(huì)密集上調(diào)？

  02 MOSFET，因何進(jìn)入漲價(jià)周期？

  從供給端來看，MOSFET 的漲價(jià)首先源于成本端的剛性擠壓，且這種壓力已穿透 “原材料 - 制造 - 封裝” 全產(chǎn)業(yè)鏈，企業(yè)內(nèi)部消化空間基本耗盡。

  封裝環(huán)節(jié)的材料成本首當(dāng)其沖。對(duì)于中低壓 MOSFET 等成熟產(chǎn)品，封裝成本或超 50%，而銅、銀、鈀等關(guān)鍵貴金屬在封裝材料中占比極高。市場數(shù)據(jù)顯示，截至2026年1月27日收盤，國際銀價(jià)達(dá)到每盎司112.14美元，相比2025年初漲幅282%； 錫價(jià)每噸54876美元，漲幅89%； 銅價(jià)每噸13024美元，漲幅48%。 這些基礎(chǔ)材料的價(jià)格波動(dòng)，直接沖擊了 MOSFET 的生產(chǎn)底線。

  晶圓代工環(huán)節(jié)的漲價(jià)則進(jìn)一步加劇成本壓力。MOSFET 主要依賴 8 英寸成熟制程，而8英寸晶圓代工價(jià)格的上漲，并非短期突發(fā)現(xiàn)象，而是自2025年下半年以來逐步發(fā)酵、持續(xù)蔓延的行業(yè)趨勢。臺(tái)積電、三星等國際大廠逐步將 8 英寸產(chǎn)線轉(zhuǎn)向 CIS、電源管理芯片等高毛利產(chǎn)品，甚至關(guān)停部分老舊產(chǎn)線；中芯國際已向部分客戶發(fā)出漲價(jià)通知，對(duì)部分產(chǎn)能實(shí)施約10%的價(jià)格上調(diào)，世界先進(jìn)等代工大廠也迅速跟進(jìn)。對(duì)于Fabless 模式的 MOSFET 企業(yè)，上游提價(jià)直接擠壓了核心利潤空間。

  與此同時(shí)，盡管國產(chǎn)特色工藝代工廠開放90nm–180nm BCD平臺(tái)，但高壓MOSFET所需深溝槽、厚外延、背面工藝等模塊尚未完全成熟，高端MOSFET產(chǎn)能持續(xù)吃緊。

  再從需求端來看，單純的成本推動(dòng)難以支撐全行業(yè)漲價(jià)落地，真正的核心動(dòng)力來自下游應(yīng)用市場的需求爆發(fā)。

  過去兩年，盡管消費(fèi)電子疲軟拖累中低壓MOSFET需求，但新能源車、光伏儲(chǔ)能、AI服務(wù)器電源三大高增長賽道對(duì)高壓MOSFET的需求持續(xù)超預(yù)期。

  在新能源汽車市場，隨著800V高壓平臺(tái)加速滲透，OBC（車載充電機(jī)）、DC-DC轉(zhuǎn)換器、熱管理系統(tǒng)對(duì)650V/750V超結(jié)MOSFET需求激增。隨著汽車智能化發(fā)展，ADAS、安全、信息娛樂等功能均需使用MOSFET，根據(jù)英飛凌數(shù)據(jù)，未來中高端車型中MOSFET單車用量將有望增至400個(gè)。

  在光伏與儲(chǔ)能市場，隨著組串式逆變器向更高功率密度演進(jìn)，1200V Trench MOSFET成為主流；戶用儲(chǔ)能系統(tǒng)對(duì)高效率、小體積AC-DC拓?fù)涮岢鲂乱?，推?dòng)SGT（Split-Gate Trench）MOSFET用量翻倍。

  在AI服務(wù)器市場，2026年全球八大云端服務(wù)供應(yīng)商（CSP）的資本支出預(yù)計(jì)將突破7100億美元，年增率高達(dá)61%。這一增長主要得益于云服務(wù)巨頭們對(duì)AI應(yīng)用的不斷投資，推動(dòng)了AI服務(wù)器及相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)。與傳統(tǒng)服務(wù)器相比，單臺(tái) AI 服務(wù)器的功率密度提升 3-5 倍，對(duì)高壓 MOSFET、電源管理 MOSFET 的需求量呈指數(shù)級(jí)增長，直接拉動(dòng)高端料號(hào)需求緊張。英飛凌也在漲價(jià)通知中明確提及，AI 數(shù)據(jù)中心的缺貨壓力是調(diào)價(jià)的重要原因。

  此外，人形機(jī)器人商業(yè)化加速，成為高壓MOSFET新增長極。其功率驅(qū)動(dòng)與電源管理單元對(duì)器件動(dòng)態(tài)響應(yīng)、功率等級(jí)等要求嚴(yán)苛，推動(dòng)高端產(chǎn)品技術(shù)迭代。

  本次MOSFET密集漲價(jià)，絕非短期供需失衡的偶然結(jié)果，而是行業(yè)周期、技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)競爭共同作用的必然。

  03 MOSFET競爭，進(jìn)入新陣地

  從技術(shù)迭代來看，MOSFET正處于“硅基升級(jí)+寬禁帶演進(jìn)”的雙重變革期。

  硅基MOSFET方面，F(xiàn)inFET之后的GAA（全環(huán)繞柵極）技術(shù)逐步落地，成為延續(xù)CMOS縮放的核心方向，通過結(jié)構(gòu)優(yōu)化提升電學(xué)控制能力，降低寄生損耗，適配高端場景需求；而寬禁帶半導(dǎo)體中的碳化硅（SiC）MOSFET，憑借耐高壓、低損耗、耐高溫的優(yōu)勢，在新能源汽車800V平臺(tái)、高端光伏逆變器等場景快速滲透。

  長期以來，英飛凌、Vishay、安森美、意法半導(dǎo)體等國際巨頭憑借數(shù)十年技術(shù)積累、完整產(chǎn)品線布局及嚴(yán)苛質(zhì)量管控，在高端MOSFET市場形成絕對(duì)壟斷，尤其在車規(guī)級(jí)、工業(yè)級(jí)高壓料號(hào)領(lǐng)域，優(yōu)勢難以撼動(dòng)。其核心競爭力并非單純的技術(shù)領(lǐng)先，更在于長期沉淀的客戶認(rèn)證壁壘與供應(yīng)鏈協(xié)同能力——車規(guī)級(jí)MOSFET需通過AEC-Q101、ISO 26262等嚴(yán)苛認(rèn)證，認(rèn)證周期長達(dá)18-36個(gè)月，海外巨頭憑借先發(fā)優(yōu)勢，已深度綁定全球主流車企與工業(yè)設(shè)備廠商，形成“認(rèn)證-供貨-迭代”的閉環(huán)，構(gòu)建起國產(chǎn)廠商短期內(nèi)難以突破的競爭壁壘。

  其中，英飛凌CoolSic產(chǎn)品線全年?duì)I收達(dá)15.3億歐元，同比增長52%，占公司總營收的12.7%。其位于馬來西亞居林的12英寸SiC晶圓廠于去年第二季度實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)，月產(chǎn)能達(dá)2萬片，成為全球首個(gè)大規(guī)模量產(chǎn)12英寸SiC晶圓的企業(yè)，被Yole評(píng)價(jià)為“開啟了碳化硅成本下降的新拐點(diǎn)”。

  國產(chǎn)MOSFET廠商呈現(xiàn)“頭部突圍、尾部出清”的分化態(tài)勢，以華潤微、新潔能、士蘭微、聞泰科技（安世半導(dǎo)體）、比亞迪半導(dǎo)體為代表的本土龍頭，正從中低壓領(lǐng)域向高壓、車規(guī)級(jí)領(lǐng)域加速滲透，逐步打破海外壟斷，成為行業(yè)格局重構(gòu)的核心力量。這些龍頭企業(yè)憑借持續(xù)的研發(fā)投入與IDM模式優(yōu)勢，逐步突破深溝槽、厚外延等核心工藝，在中低壓MOSFET領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用，市占率持續(xù)提升。

  2025年全球功率MOSFET管排名前10的供應(yīng)商排名暫未披露，但從2024年的排名中可以看到，前十家公司分別為：英飛凌、安森美半導(dǎo)體、意法半導(dǎo)體、恩智浦、安世半導(dǎo)體、威世、東芝、萬代半導(dǎo)體、華潤微電子、士蘭微電子、博世、瑞薩電子。

  可以看到，2024年全球功率MOSFET管主要供應(yīng)商中，兩家國產(chǎn)功率半導(dǎo)體公司保持在排名前10位，而且排名出現(xiàn)了上升，這表明國產(chǎn)功率MOSFET管公司的產(chǎn)品競爭力有所增加。

  2025年，國內(nèi)碳化硅器件技術(shù)呈現(xiàn)兩大突破：一是高耐壓芯片量產(chǎn)落地，比亞迪半導(dǎo)體推出全球首款可批量裝車的1500V高耐壓大功率碳化硅芯片；二是大尺寸晶圓產(chǎn)能釋放，株洲中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目完成8英寸碳化硅晶圓線通線。

  企業(yè)層面進(jìn)展同步推進(jìn)。華潤微2025年碳化硅相關(guān)產(chǎn)線基本實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)，最新一代MOS G4產(chǎn)品已推向市場，并獲得各行業(yè)標(biāo)桿客戶的認(rèn)可與批量使用，主驅(qū)模塊已實(shí)現(xiàn)批量上車。士蘭微則坦言，子公司士蘭明鎵因6英寸SiC芯片產(chǎn)線處于爬坡期，前期產(chǎn)出少、折舊高、原材料成本高，疊加市場價(jià)格大幅下滑，導(dǎo)致2025年經(jīng)營性虧損擴(kuò)大。不過，公司已開發(fā)多規(guī)格SiC芯片覆蓋汽車、新能源、工業(yè)等需求，2025年下半年產(chǎn)出逐步提升，預(yù)計(jì)2026年實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)。近日，華潤微發(fā)布業(yè)績快報(bào)，2025年度實(shí)現(xiàn)營業(yè)總收入110.54億元，同比增長9.24%；凈利潤6.61億元，同比下降13.26%。士蘭微也發(fā)布2025年年度業(yè)績預(yù)告。預(yù)計(jì)2025年度實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤為3.30億元到3.96億元，同比增長50%到80%。